如果一個元件的兩個針腳或更多(duō)針腳之間的電(diàn)壓超過元件介質(zhì)的擊穿強度，就會對元件造成損壞。這是MOS器件出現故障最主要的原因。氧化層越薄，則元件對靜電(diàn)放電(diàn)的敏感性也越大。故障通常表現為(wèi)元件本身對電(diàn)源有(yǒu)一定阻值的短路現象。對于雙極性元件，損壞一般發生在薄氧化層隔開的已進行金屬噴鍍的有(yǒu)源半導體(tǐ)區(qū)域，因此會産(chǎn)生洩漏嚴重的路徑。
另一種故障是由于節點的溫度超過半導體(tǐ)矽的熔點（1415℃）時所引起的。靜電(diàn)放電(diàn)脈沖的能(néng)量可(kě)以産(chǎn)生局部地方發熱，因此出現這種機理(lǐ)的故障。即使電(diàn)壓低于介質(zhì)的擊穿電(diàn)壓，也會發生這種故障。一個典型的例子是，NPN型三極管發射極與基極間的擊穿會使電(diàn)流增益急劇降低。
推薦使用(yòng)離子風機或者離子風槍來進行有(yǒu)效快速的消除電(diàn)子元件的靜電(diàn)
